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J-GLOBAL ID：201402225795696583   整理番号：14A1098423

硫黄を過飽和ドープしたSi単結晶の光吸収と電気伝導特性

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著者 (7件)： 中井達也 (甲南大 理工) ,  内藤宗幸 (甲南大 理工) ,  小林勇輝 (甲南大 理工) ,  長尾克紀 (甲南大 理工) ,  青木珠緒 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.18A-A25-11  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *硫黄 ,  熱処理 ,  *ケイ素 ,  *レーザアブレーション ,  *過飽和固溶体 ,  *バンド構造 ,  結晶度 ,  光吸収 ,  光伝導 ,  *依存性 ,  光吸収スペクトル ,  パルスレーザアブレーション ,  *単結晶シリコン ,  中間バンド
準シソーラス用語： イオン注入熱処理 ,  *フルエンス依存性 ,  結晶性 ,  光伝導率

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  特殊加工  (QC04000Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 硫黄 ,  過飽和 ,  ドープ ,  Si単結晶 ,  光吸収 ,  電気伝導特性