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J-GLOBAL ID：201402235641646660   整理番号：14A0354528

アンドープGaAs/n-type GaAsエピタキシャル構造における縦光学フォノンのラマン散乱分光とテラヘルツ電磁波発生

著者 (4件)： 竹内日出雄 ,  浅井聡太 ,  鶴田修一 (大阪市大 工) ,  中山正昭 (大阪市大 工)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 69  号： 1 第4分冊  ページ： 755  発行年： 2014年03月05日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  エピタクシー ,  *フォノン ,  Raman分光法 ,  *電磁波 ,  電磁波放射 ,  *テラヘルツ波 ,  *縦光学フォノン
準シソーラス用語： *LOフォノン

分類 (1件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  エピタキシャル ,  縦光学フォノン ,  ラマン散乱 ,  分光 ,  テラヘルツ電磁波