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J-GLOBAL ID：201402242281588589   整理番号：14A0371328

パルスレーザーメルティング法を用いて硫黄を過飽和ドープしたSi単結晶の光吸収と電気伝導特性のフルーエンス依存性

著者 (8件)： 長尾克紀 (甲南大 理工) ,  稲田貢 (関西大 システム理工) ,  内藤宗幸 (甲南大 理工) ,  則村憲吾 (甲南大 理工) ,  中井達也 (甲南大 理工) ,  青木珠緒 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.19P-D9-14  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  単結晶 ,  *レーザ融解 ,  *パルスレーザ照射 ,  *硫黄 ,  *光吸収 ,  *電気伝導率 ,  フルエンス ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： フルエンス依存性

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 硫黄 ,  過飽和 ,  ドープ ,  Si単結晶 ,  光吸収 ,  電気伝導特性 ,  依存性