文献

J-GLOBAL ID：201402243137167397   整理番号：14A1097892

量子ドット太陽電池におけるドットへのSiドーピングの影響

著者 (8件)： 内藤駿弥 (東大 大学院) ,  内藤駿弥 (先端研) ,  TOPRASERTPONG Kasidit (東大 大学院) ,  星井拓也 (東大 大学院) ,  星井拓也 (先端研) ,  杉山正和 (東大 大学院) ,  岡田至崇 (東大 大学院) ,  岡田至崇 (先端研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.17P-A28-6  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *太陽電池 ,  ケイ素 ,  *ドーピング ,  温度依存性 ,  光ルミネセンス ,  MBE成長 ,  PIN接合 ,  *半導体量子ドット

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 量子ドット太陽電池 ,  ドット ,  Si ,  ドーピング