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J-GLOBAL ID：201402243466853250   整理番号：14A1100975

炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング-水素の拡散挙動と照射欠陥の形成に与える影響-

著者 (6件)： 奥山亮輔 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  岩永卓朗 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  奥田秀彦 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.20A-A20-12  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭素 ,  *クラスタイオン ,  *イオン照射 ,  ウエハ【IC】 ,  *ゲッタリング ,  *拡散 ,  *格子欠陥 ,  撮像装置 ,  環境汚染 ,  非晶質 ,  二次イオン質量分析 ,  透過型電子顕微鏡 ,  ケイ素 ,  水素 ,  照射損傷 ,  金属汚染 ,  *照射欠陥 ,  *水素拡散 ,  シリコンウエハ ,  断面透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： Siウエハ ,  近接ゲッタリング ,  断面TEM

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： 炭素クラスター ,  イオン照射 ,  Siウェーハ ,  ゲッタリング ,  水素 ,  拡散 ,  挙動 ,  照射欠陥