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J-GLOBAL ID：201402261158560038   整理番号：14A0269904

シリコン単一正孔トランジスタのカスピダルブロッケード領域での輸送挙動と機構

Transport behaviors and mechanisms in cuspidal blockade region for silicon single-hole transistor

著者 (3件)： LEE Youngmin (Dep. of Semiconductor Sci., Dongguk University-Seoul, Seoul 100-715, KOR) ,  LEE Sejoon (Dep. of Semiconductor Sci., Dongguk University-Seoul, Seoul 100-715, KOR) ,  HIRAMOTO Toshiro (Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, Tokyo 153-8505, JPN)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 14  号： 3  ページ： 428-432  発行年： 2014年03月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si単一正孔トランジスタは異常に伸びたカスピダルブロッケード領域を呈するが,それはCoulombブロッケードダイアグラムにおいてゲート対ドレインバイアス電圧領域から45°傾いた方向に延びている。その成因は,極めて小さいSi量子ドット(QD)が全周ゲート(GAA)積層中に生じることである。即ち,2nmサイズのSi QDからの大きな一電子追加エネルギー(=447meV)が室温での明確なCoulombブロッケード事象を可能とし,GAA積層からの大きな電圧利得が,当初のCoulombブロッケード状態近傍のバイアス点で,Coulombブロッケードエネルギーの繰込みを介してブロッケード領域のカスピダル延長を可能とする。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *トランジスタ ,  *ケイ素 ,  *Coulombブロッケード ,  *量子ドット ,  くりこみ ,  正孔 ,  *単一正孔トランジスタ
準シソーラス用語： カスプ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  単一正孔トランジスタ ,  輸送 ,  挙動