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J-GLOBAL ID：201402262798950440   整理番号：14A0195962

異方的格子歪みを受けたハーフメタルマンガン酸化物薄膜のRu置換による保磁力増大効果

著者 (3件)： 重松圭 (東大) ,  近松彰 (東大) ,  長谷川哲也 (東大)
資料名： 東京大学低温センター年報  (東京大学低温センター年次報告)
号： 4  ページ： 16-20  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： F1229A  資料種別： 年次報告 (Y)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ペロブスカイトマンガン酸化物La_0.7Sr_0.3MnO₃(LSMO)は,室温以上のキュリー温度を持つハーフメタル特性を持ち,トンネル磁気抵抗素子などへの応用が期待されているが,保磁力が極めて小さいという欠点がある。これに対して我々は,MnサイトへのRu置換による効果と,斜方晶NdGaO₃基板から誘起される一軸磁気異方性の効果に着目し,これら両方の効果がLSMOの保磁力上昇に協力的に作用することを見出した結果を紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *マンガン酸塩 ,  *ランタン化合物 ,  *ストロンチウム化合物 ,  酸化物 ,  *半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  *格子歪 ,  Curie温度 ,  *保磁力 ,  TMR素子 ,  協力作用 ,  置換基効果 ,  走査電子顕微鏡 ,  格子整合 ,  レーザパルス ,  レーザ蒸着 ,  ルテニウム化合物 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  SQUID ,  格子定数 ,  温度依存性 ,  電気抵抗率 ,  金属-絶縁体転移 ,  強磁性体 ,  磁気異方性 ,  外部磁場 ,  パルスレーザ蒸着 ,  酸化物薄膜 ,  酸化物半導体 ,  磁化曲線 ,  磁場依存性
準シソーラス用語： トンネル磁気抵抗素子 ,  協力効果

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

引用文献 (10件)：

• A. Urushibara, Y. Moritomo, T. Arima, A. Asamitsu, G. Kido, and Y. Tokura, Phys. Rev. B 51, 14103 (1995).
• J. H. Park, E. Vescovo, H. J. Kim, C. Kwon, R. Ramesh, and T. Venkatesan, Nature 392, 794 (1998).
• M. Bowen, M. Bibes, A. Barthelemy, J. P. Contour, A. Anane, Y. Lemaitre, and A. Fert, Appl. Phys. Lett. 82, 233 (2003).
• L. M. Wang, J. H. Lai, J. I. Wu, Y. K. Kuo, and C. L. Chang, J. Appl. Phys. 102, 023915 (2007).
• H. Yamada, M. Kawasaki, and Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 86, 192505 (2005).

タイトルに関連する用語 (5件)： 格子歪み ,  酸化物薄膜 ,  Ru ,  置換 ,  保磁力