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J-GLOBAL ID：201402265151988151   整理番号：14A0371737

軽元素イオン注入によるSiウェーハ中の遷移金属に対する近接ゲッタリング効果

著者 (6件)： 古賀祥泰 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO) ,  奥田秀彦 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  奥山亮輔 (SUMCO) ,  岩永卓郎 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.19P-F9-13  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  *ゲッタリング ,  *イオン注入 ,  遷移金属 ,  半導体薄膜 ,  軽元素

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 軽元素 ,  イオン注入 ,  Siウェーハ ,  遷移金属 ,  ゲッタリング