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J-GLOBAL ID:201402277711278943   整理番号:14A0048965

青色レーザダイオードと蛍光体を使用して発生させたインコヒーレント高輝度白色光-多重散乱の効果-

Incoherentized High-brightness White Light Generated Using Blue Laser Diodes and Phosphors-Effect of Multiple Scattering-
著者 (7件):
資料名:
巻: 37  号: 2/3  ページ: 95-100  発行年: 2013年12月 
JST資料番号: S0965A  ISSN: 0387-8805  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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高輝度照明器具用として,高出力青色レーザダイオードと蛍光体を使った新しいタイプの4000~5000ルーメンクラスの白色ランプシステムを開発した。このランプは光ファイバを使って,青色レーザダイオードを含む光源からランプを分離して配置できた。この新しいランプシステムの一つは,従来の白色LEDsよりずっと高輝度の140Mcd/m2を達成した。それらの照明品質と安全性分類について,コヒーレンスの係数としてスペックルコントラストに基づいて考察した。スペックルコンスタントはLEDsより2%低い値を得た。これは,これらのランプが従来の白色LEDsと同様にインコヒーレントであると考えられることを意味している。蛍光体層を含むランプ構造の多重散乱プロセスは,スペックルコントラストを完全に除くのに不可欠で,青色レーザダイオードの多重縦方向モード動作を加えた。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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発光素子  ,  光源,照明器具 
引用文献 (14件):
  • (1) Saito, S. et al.: High-efficiency GaN-based Laser Diodes for Solid-state Lighting, Conference Digest—IEEE International Semiconductor Laser Conference, ThC2 (2008).
  • (2) Kozaki, T. et al.: Recent progress of high-power GaN-based laser diodes, Proc. SPIE 6485, Novel In-Plane Semiconductor Lasers VI, 648503 (2007).
  • (3) Kinoshita, J. et al.: New light-bar emitting phosphor-converted white line light pumped by InGaN/GaN Laser Diode for edge-lit backlight unit applications, SID Symposium Digest of Technical Papers, Vol. 42 (1), pp. 781–784 (2011).
  • (4) Kim, J. K. et al.: Strongly enhanced phosphor efficiency in GaInN white light-emitting diodes using remote phosphor configuration and diffuse reflector cup, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 44 (21), pp. L649–L651 (2005).
  • (5) Ikeda, Y. et al.: Very low speckle contrast of high-brightness white light source using blue laser diodes, 1st Laser Display Conference Digest of Technical Papers, LDC8-4 (2012).
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