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J-GLOBAL ID：201402283963593230   整理番号：14A1500324

MOCVD法によるGeおよびGe_1-xSn_xのエピタキシャル成長

Epitaxial Growth of Ge and Ge_1-xSn_x Films by MOCVD

著者 (9件)： 須田耕平 (明治大) ,  石原聖也 (明治大) ,  木嶋隆浩 (明治大) ,  澤本直美 (明治大) ,  町田英明 (気相成長) ,  石川真人 (気相成長) ,  須藤弘 (気相成長) ,  大下祥雄 (豊田工大) ,  小椋厚志 (明治大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 255(SDM2014 84-95)  ページ： 41-45  発行年： 2014年10月09日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GeおよびGe_1-xSn_xは,高移動度トランジスタ,IV族光デバイス等への応用が期待されている。我々は,t-C₄H₉GeH₃と(C₂H₅)₄Snとを用いたMOCVD法によるGeおよびGe_1-xSn_xのエピタキシャル成長を行った。用いたMO原料はGeH₄やSnH₄と比べ発火性や爆発性などの点で非常に安全であり,本手法が確立した際には成膜プロセスの安全性は飛躍的に向上すると考える。本報告では,基板温度等の各種成長条件におけるエピタキシャル膜の評価を行う。(著者抄録)

シソーラス用語： MOCVD ,  *ゲルマニウム ,  *エピタクシー ,  薄膜 ,  基板温度 ,  ヘテロエピタクシー ,  *不定比化合物 ,  エピタキシャル膜
準シソーラス用語： Ge ,  *エピタキシャル成長 ,  エピタクシー膜 ,  *ゲルマニウム-スズ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (11件)：

• S. Zaima, “Technology Evolution for Silicon Nanoelectronics: Postscaling Technology,“ Jpn. J. Appl. Phys., vol.52, pp.030001-1-030001-12, March 2013.
• B. Vincent, Y. Shimura, S. Takeuchi, T. Nishimura, G. Eneman, A. Firrincieli, J. Demeulemeester, A. Vantomme, T. Clarysse, O. Nakatsuka, S. Zaima, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, “Characterization of GeSn materials for future Ge pMOSFETs source/drain stressors,“ Microelectron. Eng., vol.88, pp.342-346, April 2011.
• S. Gupta, R. Chen, B. Magyari-Kope, H. Lin, B. Yang, A. Nainani, Y. Nishi, J. S. Harris, and K. C. Saraswat, “GeSn technology: Extending the Ge electronics roadmap,“ IEDM Tech. Dig., pp.398-401, December 2011.
• V. R. D'Costa, C. S. Cook, A. G. Birdwell, C. L. Littler, M. Canonico, S. Zollner, J. Kouvetakis, and J. Menendez, “Optical critical points of thin-film Ge_1-ySn_y alloys: A comparative Ge_1-ySn_y/Ge_1-xSi_x study,“ Phys. Rev. B, vol.73, pp.125207-1-125207-16, March 2006.
• Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, S. Zaima, “Low temperature growth of Ge_1-xSn_x buffer layers for tensile-strained Ge layers,“ Thin Solid Films, vol.518, pp.S2-S5, January 2010.

タイトルに関連する用語 (3件)： MOCVD ,  Ge ,  エピタキシャル成長