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J-GLOBAL ID：201402293569888777   整理番号：14A0520293

p⁺-Si/n-SiCヘテロ接合の電気的性質に及ぼす熱アニーリング工程の影響

Effects of thermal annealing process on the electrical properties of p⁺-Si/n-SiC heterojunctions

著者 (4件)： LIANG J. (Dep. of Electrical Engineering, Osaka City Univ., 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, JPN) ,  NISHIDA S. (Dep. of Electrical Engineering, Osaka City Univ., 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, JPN) ,  ARAI M. (New Japan Radio Co., Ltd., Fukuoka 2-1-1, Fujimino, Saitama 356-8510, JPN) ,  SHIGEKAWA N. (Dep. of Electrical Engineering, Osaka City Univ., 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 104  号： 16  ページ： 161604-161604-4  発行年： 2014年04月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  ケイ素 ,  *ヘテロ接合 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  半導体材料 ,  *熱処理 ,  *半導体薄膜 ,  電流電圧特性 ,  電子顕微鏡観察 ,  電流密度 ,  熱アニーリング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  SiC ,  ヘテロ接合 ,  電気的性質 ,  アニーリング工程