ピセン及びその誘導体の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：羽鳥修 , 中野廣己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-101582
公開番号（公開出願番号）：特開2014-058501
出願日： 2013年05月13日
公開日（公表日）： 2014年04月03日
要約：

【課題】有機半導体、薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ又は太陽電池等の用途に有用なピセン及びその誘導体を、短い反応工程により収率よく製造する方法を提供する。【解決手段】代表される化合物及び工程として、式5の化合物と式6の化合物をカップリング反応させることにより式7の化合物を製造する工程1と式7の化合物を脱ハロゲン化水素させる工程2を含む式8のピセン及びその誘導体を製造する方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(2)で表される化合物(b)と下記一般式(3)で表される化合物(c)とを、カップリング反応させることにより、下記一般式(1)で表される化合物(a)を製造する工程1と、下記一般式(1)で表される化合物(a)を脱ハロゲン化水素させる工程2とを含むことを特徴とする下記一般式(4)で表されるピセン及びその誘導体の製造方法。

IPC (13件)：

C07C 1/30 , C07C 15/20 , C07C 43/225 , C07C 43/20 , C07C 41/24 , C07C 25/18 , C07F 7/12 , C07F 7/08 , C07D 333/18 , C07D 495/04 , H01L 51/42 , H01L 51/05 , H01L 51/30

FI (13件)：

C07C1/30 , C07C15/20 , C07C43/225 C , C07C43/20 A , C07C41/24 , C07C25/18 , C07F7/12 W , C07F7/08 W , C07D333/18 , C07D495/04 101 , H01L31/04 D , H01L29/28 100A , H01L29/28 250H

Fターム (41件)：

4C071AA01 , 4C071AA07 , 4C071BB01 , 4C071BB07 , 4C071CC22 , 4C071EE13 , 4C071FF23 , 4C071KK30 , 4C071LL10 , 4H006AA01 , 4H006AA02 , 4H006AA03 , 4H006AB78 , 4H006AB84 , 4H006AB91 , 4H006AC24 , 4H006BA25 , 4H006BA48 , 4H006BE10 , 4H006EA22 , 4H006EA23 , 4H006GP03 , 4H039CA21 , 4H039CA41 , 4H039CD10 , 4H039CD20 , 4H039CD90 , 4H039CH20 , 4H049VN01 , 4H049VP02 , 4H049VQ08 , 4H049VQ12 , 4H049VR24 , 4H049VS12 , 4H049VT17 , 4H049VT29 , 4H049VU24 , 4H049VU36 , 4H049VW02 , 5F151AA11 , 5F151BA11

引用特許：

審査官引用 (1件)

置換基脱離化合物とそれから得られる有機半導体材料、それを用いた有機電子デバイス、有機薄膜トランジスタおよびディスプレイ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-086973 出願人：株式会社リコー

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