特許

J-GLOBAL ID：201403075483600700

SiC単結晶の製造方法

発明者： 宇治原 徹 ,  原田 俊太 ,  朱 燦
出願人/特許権者： 国立大学法人名古屋大学
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-185973
公開番号（公開出願番号）：特開2014-043367
出願日： 2012年08月26日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
要約：

【課題】液相成長法によりSiC単結晶を結晶成長させ、その際に結晶成長面に形成されているステップの高さを低減できるSiC単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】液相成長法により原料溶液中でSiC種結晶の結晶成長面にSiCからなるステップを進展させてSiC単結晶を結晶成長させる際に、原料溶液に外力を加え原料溶液をステップの進展方向の逆方向に沿って流動させることで、結晶成長面におけるステップバンチングの少なくとも一部を解く。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

ケイ素(Si)および炭素(C)を含む原料溶液中で液相成長法によりSiC種結晶の結晶成長面にSiCからなるステップを進展させてSiC単結晶を結晶成長させる結晶成長工程を含み、 前記結晶成長工程は、前記原料溶液に外力を加え前記原料溶液を前記ステップの進展方向の逆方向に沿って流動させることで、前記結晶成長面におけるステップバンチングの少なくとも一部を解く平滑化工程を備えるSiC単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/04

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B19/04

Fターム (11件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077ED06 ,  4G077EH06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA21 ,  4G077QA71