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J-GLOBAL ID：201502200515150985   整理番号：15A1046304

Tiを過飽和ドープしたSi単結晶の光吸収と光電気伝導の相関

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著者 (6件)： 藪慶太郎 (甲南大 理工) ,  川邊大介 (甲南大 理工) ,  小柴悠資 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  青木珠緒 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.15A-2S-7  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  チタン ,  ドーピング ,  *レーザ融解 ,  太陽電池 ,  *光伝導 ,  *光吸収 ,  光電流 ,  イオン注入 ,  単結晶シリコン ,  シリコン太陽電池

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ti ,  過飽和 ,  ドープ ,  Si単結晶 ,  光吸収 ,  光電気 ,  伝導 ,  相関