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J-GLOBAL ID：201502206024701040   整理番号：15A1044413

炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング-レーザー散乱法を用いたクラスター照射領域の欠陥評価-

著者 (6件)： 門野武 (SUMCO) ,  奥山亮輔 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  奥田秀彦 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.13P-1E-14  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *ゲッタリング ,  *イメージセンサ ,  *イオン照射 ,  光散乱 ,  透過型電子顕微鏡 ,  レーザ散乱 ,  *炭素クラスタ ,  シリコンウエハ ,  固体撮像装置
準シソーラス用語： Siウエハ ,  固体撮像デバイス

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (9件)： 炭素クラスター ,  イオン照射 ,  Siウェーハ ,  ゲッタリング ,  レーザー散乱 ,  クラスター ,  照射領域 ,  欠陥 ,  評価