MOU S. S. について
Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ., Sapporo 001-0020, JPN について
IRIE H. について
NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Atsugi 243-0198, JPN について
ASANO Y. について
Graduate School of Engineering, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN について
AKAHANE K. について
National Inst. of Information and Communication Technol., Koganei 184-8795, JPN について
NAKAJIMA H. について
Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ., Sapporo 001-0020, JPN について
KUMANO H. について
Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ., Sapporo 001-0020, JPN について
SASAKI M. について
National Inst. of Information and Communication Technol., Koganei 184-8795, JPN について
MURAYAMA A. について
Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN について
SUEMUNE I. について
Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ., Sapporo 001-0020, JPN について
Journal of Applied Physics について
ヒ化インジウム について
量子ドット について
Cooper対 について
再結合 について
時間分解分光法 について
ニオブ について
超伝導体 について
ルミネセンス について
臨界温度 について
減衰時間 について
時定数 について
浸透 について
近接効果 について
放射再結合 について
時間分解ルミネセンス について
半導体のルミネセンス について
金属系超伝導体の物性 について
InAs量子ドット について
Cooper対 について
放射再結合 について