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J-GLOBAL ID：201502209554962950   整理番号：15A0506560

硫黄を過飽和ドープしたSi単結晶の中赤外光吸収スペクトルの結晶構造依存性

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著者 (7件)： 中井達也 (甲南大 理工) ,  内藤宗幸 (甲南大 理工) ,  小林勇輝 (甲南大 理工) ,  長尾克紀 (甲南大 理工) ,  青木珠緒 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.12A-A18-13  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 過飽和 ,  *ドーピング ,  *赤外線 ,  *光吸収スペクトル ,  結晶構造 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  硫黄 ,  中赤外線 ,  *単結晶シリコン

分類 (1件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 硫黄 ,  過飽和 ,  ドープ ,  Si単結晶 ,  光吸収スペクトル ,  結晶 ,  構造依存性