文献

J-GLOBAL ID：201502215545454420   整理番号：15A0856426

理論計算による二層グラフェンデバイスのキャパシタンス解析

著者 (7件)： 森雄太郎 (東大 工) ,  南谷英美 (東大 工) ,  安藤康伸 (東大 工) ,  笠松秀輔 (東大 物性研) ,  金山薫 (東大 工) ,  長汐晃輔 (東大 工) ,  渡邉聡 (東大 工)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 70  号： 1  ページ： ROMBUNNO.21PPSB-54  発行年： 2015年03月24日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *グラフェン ,  *電子状態 ,  状態密度 ,  電場効果 ,  *静電容量 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  誘電率 ,  二層グラフェン
準シソーラス用語： 比誘電率

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 理論計算 ,  二層グラフェン ,  キャパシタンス ,  解析