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J-GLOBAL ID：201502217664316852   整理番号：15A0507164

炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング(1)-CMOSイメージセンサのデバイス特性にゲッタリングが与える効果-

著者 (4件)： 栗田一成 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  LEE G.S. (漢陽大学校) ,  PARK J.G. (漢陽大学校)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.12P-A18-13  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体 ,  *ケイ素 ,  *ウエハ【IC】 ,  クラスタ分子 ,  炭素 ,  *イオン照射 ,  ゲッタリング ,  イメージセンサ ,  10-100keV ,  CMOSイメージセンサ ,  シリコンウエハ ,  炭素クラスタ

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 炭素クラスター ,  イオン照射 ,  Siウェーハ ,  ゲッタリング ,  CMOSイメージセンサ ,  デバイス特性