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J-GLOBAL ID：201502217772366212   整理番号：15A1320734

ナノ工学調整SiCの原子構造と放射線誘起アモルファス化耐性

Atomistic structures of nano-engineered SiC and radiation-induced amorphization resistance

著者 (9件)： IMADA Kenta (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, Fukuoka 804-8550, JPN) ,  ISHIMARU Manabu (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, Fukuoka 804-8550, JPN) ,  SATO Kazuhisa (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai, Miyagi 980-8577, JPN) ,  XUE Haizhou (Materials Sci. and Engineering Dep., Univ. of Tennessee, Knoxville, TN 37996-2200, USA) ,  ZHANG Yanwen (Materials Sci. and Technol. Div., Oak Ridge National Lab., TN 37831-6138, USA) ,  ZHANG Yanwen (Materials Sci. and Engineering Dep., Univ. of Tennessee, Knoxville, TN 37996-2200, USA) ,  SHANNON Steven (Dep. of Nuclear Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, NC 27695, USA) ,  WEBER William J. (Materials Sci. and Engineering Dep., Univ. of Tennessee, Knoxville, TN 37996-2200, USA) ,  WEBER William J. (Materials Sci. and Technol. Div., Oak Ridge National Lab., TN 37831-6138, USA)
資料名： Journal of Nuclear Materials  (Journal of Nuclear Materials)
巻： 465  ページ： 433-437  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： D0148A  ISSN： 0022-3115  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度積層欠陥と双晶を持つ柱状構造であるナノ工学的に調整したSiC薄膜に1MeV Siイオンを極低温と室温で照射した。断面透過型電子顕微鏡観察とMatterコードにおけるイオンの阻止と飛程に基づくモンテカルロシミュレーションを組合せて,それらのアモルファス化耐性が室温で塊状結晶SiCのそれの6倍であることを示した。球面収差補正した透過型走査電子顕微鏡(STEM)で撮影した高角明視野像は原子配位の歪が積層欠陥付近に局在することを明らかにした。結果として生じる歪場はこの物質の耐放射線性の向上に寄与すると思われる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 積層欠陥 ,  双晶 ,  *炭化ケイ素 ,  薄膜 ,  電子顕微鏡観察 ,  シミュレーション ,  *アモルファス化 ,  原子構造 ,  ナノ構造 ,  放射線照射 ,  *原子炉材料 ,  核融合材料 ,  重イオン照射 ,  耐放射線性 ,  モンテカルロシミュレーション ,  格子欠陥 ,  材料

分類 (1件)： 原子炉の構成要素と原子炉材料一般  (MD04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 工学 ,  SiC ,  原子構造 ,  放射線 ,  誘起 ,  アモルファス化 ,  耐性