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J-GLOBAL ID：201502219915891308   整理番号：15A1044531

イオンゲートによるWO₃薄膜の相変化とその空間分布

著者 (7件)： 西早辰一 (東大 工) ,  打田正輝 (東大 工) ,  小塚裕介 (東大 工) ,  岩佐義宏 (東大 工) ,  岩佐義宏 (理研 CEMS) ,  川崎雅司 (東大 工) ,  川崎雅司 (理研 CEMS)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.13P-2H-14  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化タングステン ,  トランジスタ ,  *金属-絶縁体転移 ,  キャリア注入 ,  ドーピング ,  *キャリアドーピング
準シソーラス用語： 電気二重層トランジスタ

分類 (1件)： 金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン ,  ゲート ,  薄膜 ,  相変化 ,  空間分布