文献

J-GLOBAL ID：201502221109255943   整理番号：15A0873688

シリコンウェーハのゲッタリング技術の進展

Progress of gettering technology for silicon wafers

著者 (1件)： 栗田一成 (SUMCO 技術本部)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 84  号： 7  ページ： 628-633  発行年： 2015年07月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコンウェーハのゲッタリング技術は,半導体デバイスプロセスにおける重金属汚染,歩留まり改善のための技術として発展してきた。近年,携帯電話,タブレットなどのユビキタスデバイスへの高感度撮像デバイスの実装が進展している。これらの撮像デバイス特性は,デバイス工程での重金属汚染の影響を強く受けるため重金属の特性およびゲッタリング技術に関する検討が必要である。このため,撮像デバイスにおけるゲッタリング技術の最新トレンドについて概説し,筆者らが取り組んでいるクラスタイオン照射による近接ゲッタリング技術について紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *ゲッタリング ,  *半導体プロセス ,  重金属汚染 ,  歩留り ,  撮像装置 ,  *クラスタイオン ,  *シリコンウエハ ,  環境汚染
準シソーラス用語： 撮像デバイス

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

引用文献 (35件)：

• K. Graff: Metal Impurities in Silicon-Devices Fabrication (Springer, 1994).
• 大見忠弘:応用物理 58,193 (1989).
• 早藤貴範:応用物理 60,782 (1991).
• A. Goetzberger and W. Shockley: J. Appl. Phys. 31, 1821 (1960).
• E.R. Weber: Appl. Phys. A 30, 1 (1983).

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコンウェーハ ,  ゲッタリング ,  進展