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J-GLOBAL ID:201502225291770232   整理番号:15A0698704

含ホウ素中性ラジカルを用いた両極性Mottトランジスタ

著者 (8件):
資料名:
巻: 95th  号:ページ: 1115  発行年: 2015年03月11日 
JST資料番号: S0493A  ISSN: 0285-7626  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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我々は,これまでに三配位ホウ素を導入して共役を拡張し,さらにπ骨格をメチレン基で共平面に固定したトリフェニルメチルラジカル誘導体を合成し,これが空気中においても高い安定性を示すことを報告している。今回,この含ホウ素中性ラジカルを半導体層として用いた有機電界効果トランジスタを作製し,その性能評価を行った。その結果,作製したデバイスは電子およびホールの両方のキャリアを輸送する両極性トランジスタとして作動することが明らかとなった。このラジカル化合物のキャリア輸送について,理論計算も併せて報告する予定である。(著者抄録)
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分類 (1件):
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トランジスタ 
物質索引 (1件):
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