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J-GLOBAL ID：201502240807194917   整理番号：15A0508023

ペロブスカイト型WO₃薄膜の作製とキャリアドーピング

著者 (7件)： 西早辰一 (東大 工) ,  打田正輝 (東大 工) ,  小塚裕介 (東大 工) ,  岩佐義宏 (東大 工) ,  岩佐義宏 (理研 CEMS) ,  川崎雅司 (東大 工) ,  川崎雅司 (理研 CEMS)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.13A-D10-4  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ペロブスカイト型結晶 ,  酸化タングステン ,  *キャリア注入 ,  *ドーピング ,  *パルスレーザ蒸着 ,  X線回折 ,  トランジスタ ,  *インターカレーション ,  計測 ,  *結晶構造 ,  薄膜成長 ,  *三酸化タングステン ,  *キャリアドーピング ,  電気伝導度測定
準シソーラス用語： 電気二重層トランジスタ

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： ペロブスカイト ,  薄膜 ,  作製 ,  キャリアドーピング