有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布液、有機トランジスタの製造方法、有機半導体膜の製造方法、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜、有機半導体材料の合成方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-049036
公開番号（公開出願番号）：特開2015-195362
出願日： 2015年03月12日
公開日（公表日）： 2015年11月05日
要約：

【課題】キャリア移動度が高い有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布液、有機トランジスタの製造方法、有機半導体膜の製造方法、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜、有機半導体材料の合成方法を提供する。【解決手段】下記式で表され、かつ、分子量が3000以下である化合物を含む半導体活性層を有する有機トランジスタ(Xは酸素、硫黄、セレン、テルル原子又はNR5;Y及びZはCR6、酸素、硫黄、セレン、窒素原子又はNR7;Y及びZを含む環は芳香族ヘテロ環;R1、R2、R5〜R8は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はヘテロアリール基;R3及びR4はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はヘテロアリール基;m及びnは0から2の整数)。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表され、かつ、分子量が3000以下である化合物を含む半導体活性層を有する有機トランジスタ; 一般式(1)

IPC (7件)：

H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 29/786 , H01L 51/46 , C07D 495/14 , C07D 517/14

FI (9件)：

H01L29/28 250H , H01L29/28 100A , H01L29/28 310J , H01L29/78 618B , H01L31/04 154B , H01L31/04 154D , H01L31/04 154E , C07D495/14 A , C07D517/14

Fターム (50件)：

4C071AA01 , 4C071AA08 , 4C071BB02 , 4C071BB06 , 4C071CC12 , 4C071CC21 , 4C071CC23 , 4C071EE13 , 4C071FF15 , 4C071FF23 , 4C071GG04 , 4C071JJ01 , 4C071JJ07 , 4C071LL10 , 4H039CA42 , 4H039CD20 , 4H039CD90 , 5F110AA01 , 5F110AA28 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110QQ06 , 5F151AA11

引用特許：

審査官引用 (1件)

有機薄膜太陽電池、これに用いられる組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-106352 出願人：富士フイルム株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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