特許

J-GLOBAL ID：201503031102110671

フッ化物電極材料の合成方法

発明者： 戸田 健司 ,  佐藤 峰夫 ,  上松 和義 ,  石垣 雅
出願人/特許権者： 国立大学法人 新潟大学
代理人 (2件)： 杉村 憲司 ,  齋藤 恭一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-176057
公開番号（公開出願番号）：特開2015-046262
出願日： 2013年08月27日
公開日（公表日）： 2015年03月12日
要約：

【課題】安全かつ簡便にMF3型フッ化物電極材料の合成を行うと同時に、電子伝導性の向上したナノサイズのMF3型フッ化物電極材料を得ることができる新規合成方法を提供することを目的とする。【解決手段】安全性、安定性が高いポリテトラフルオロエチレン(PTFE)をフッ素源として用いることで、安全かつ簡便にMF3型フッ化物電極材料の合成を行うと同時にカーボンコーティングを行って電子伝導性の向上を行うことができ、ナノサイズのMF3型フッ化物電極材料を得る。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)をフッ素源として用いる、MF3型フッ化物電極材料(式中、MはV又はFeである)の合成方法。

IPC (5件)：

H01M 4/58 ,  H01M 4/36 ,  C01G 31/04 ,  C01G 49/10 ,  C01B 9/08

FI (5件)：

H01M4/58 ,  H01M4/36 C ,  C01G31/04 ,  C01G49/10 ,  C01B9/08

Fターム (23件)：

4G048AA06 ,  4G048AB01 ,  4G048AC04 ,  4G048AC06 ,  4G048AD04 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05 ,  4G048AE08 ,  5H050AA12 ,  5H050AA19 ,  5H050BA17 ,  5H050CA01 ,  5H050CA10 ,  5H050CB12 ,  5H050DA09 ,  5H050EA08 ,  5H050FA17 ,  5H050FA18 ,  5H050GA02 ,  5H050GA22 ,  5H050GA27 ,  5H050HA02 ,  5H050HA05