文献

J-GLOBAL ID：201602204302482600   整理番号：16A0281744

炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(2)-水素に対する注入領域の捕獲能力-

著者 (7件)： 奥山亮輔 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  奥田秀彦 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.20P-H113-2  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *クラスタ分子 ,  *炭素 ,  *イオン注入 ,  *ウエハ【IC】 ,  水素 ,  半導体 ,  図化 ,  エネルギー ,  ゲッタリング ,  イメージセンサ ,  層 ,  Arrheniusプロット ,  CMOSイメージセンサ ,  *炭素クラスタ ,  *シリコンウエハ ,  エピタキシャル層 ,  改変
準シソーラス用語： *Siウエハ ,  エピ層 ,  脱離エネルギー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 炭素クラスター ,  イオン注入 ,  Si ,  水素 ,  注入 ,  捕獲 ,  能力