文献

J-GLOBAL ID：201602204797863019   整理番号：16A0281743

炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(1)-デバイス作製工程の重金属汚染に対するゲッタリング能力-

著者 (7件)： 栗田一成 (SUMCO) ,  奥山亮輔 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  奥田秀彦 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.20P-H113-1  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *クラスタ分子 ,  *炭素 ,  *イオン注入 ,  重金属汚染 ,  ゲッタリング ,  *ウエハ【IC】 ,  イメージセンサ ,  過程 ,  接合ダイオード ,  整流 ,  二次イオン質量分析 ,  半導体 ,  層 ,  CMOSイメージセンサ ,  *炭素クラスタ ,  *シリコンウエハ ,  エピタキシャル層 ,  環境汚染
準シソーラス用語： *Siウエハ ,  デバイスプロセス ,  整流作用 ,  エピ層

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 炭素クラスター ,  イオン注入 ,  Si ,  作製 ,  重金属汚染 ,  ゲッタリング ,  能力