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J-GLOBAL ID：201602207137266637   整理番号：16A0146423

実用情報技術の開発と応用 マイクロワット閾値を持つシリコンラマンレーザー

著者 (1件)： 高橋和 (大阪府大 大学院工学研究科)
資料名： 化学工業  (Chemical Industry)
巻： 67  号： 2  ページ： 112-116  発行年： 2016年02月01日 
JST資料番号： F0101A  ISSN： 0451-2014  CODEN： KAKOA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 2002年頃シリコン細線導波路を用いたラマンレーザー開発が提案され,その後室温連続発振が報告されたが,コストの問題もあり進展していなかった。高Q値フォトニック結晶ナノ共振器を用いて開発した極微小・超低閾値ラマンシリコンレーザーを紹介した。使用したシリコンフォトニクス結晶は,厚み220nmのシリコン薄板に直径260nm程度の空気孔を周期的に配列した構造からなり,光導波路や高Q値ナノ共振器として動作する。ラマンレーザーに用いたヘテロ構造ナノ共振器の概略を示した。開発レーザの入力-出力特性などを挙げた。約0.5μWの入射強度で明瞭なレーザー発振が確認された。この閾値はインテルのレーザーの4万分の1以下である。

シソーラス用語： 情報技術 ,  *Ramanレーザ ,  微小共振器 ,  *半導体レーザ ,  フォトニック結晶 ,  ケイ素 ,  Q値 ,  光導波路 ,  ナノ構造 ,  レーザ発振 ,  振動モード ,  オプトエレクトロニクス ,  シリコンフォトニクス
準シソーラス用語： 共振モード

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (8件)： 情報技術 ,  開発 ,  応用 ,  マイクロ ,  ワット ,  閾値 ,  シリコン ,  ラマンレーザー