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J-GLOBAL ID：201602209962982232   整理番号：16A0019676

バイポーラPBII法によるマイクロトレンチへのDLCコーティング

著者 (5件)： 平田祐樹 (東大 大学院) ,  PARK Wonsoon (東大 大学院) ,  下園隼人 (東大 大学院) ,  CHOI Junho (東大) ,  加藤孝久 (東大)
資料名： 日本機械学会マイクロ・ナノ工学シンポジウム講演論文集
巻： 5th  ページ： 141-142  発行年： 2013年11月04日 
JST資料番号： L8358A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： イオン注入 ,  構成 ,  DLC膜 ,  *ダイヤモンド状炭素 ,  *被覆 ,  分布 ,  シミュレータプログラム ,  坑道 ,  溝 ,  PIC法 ,  膜厚分布 ,  *トレンチ ,  化学蒸着被覆 ,  薄膜形成
準シソーラス用語： CVDコーティング ,  プラズマイオン注入法 ,  成膜 ,  PBII法【プラズマ】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  気相めっき  (WC08022K)

タイトルに関連する用語 (5件)： バイポーラ ,  PBII法 ,  マイクロ ,  トレンチ ,  DLCコーティング