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J-GLOBAL ID：201602212144354460   整理番号：16A1038134

フォトルミネッセンス法による加工Si基板上半極性(1-101)面GaN薄膜の発光再結合特性評価

Investigation of Radiative Recombination of Semi-Polar (1-101)GaN Films Grown on Patterned (001)Si Substrate

著者 (8件)： 杉原圭二 (宮崎大) ,  中野真理菜 (宮崎大) ,  岩元杏里 (宮崎大) ,  大堀大介 (宮崎大) ,  本田善央 (名古屋大) ,  天野浩 (名古屋大) ,  碇哲雄 (宮崎大) ,  福山敦彦 (宮崎大)
資料名： 宮崎大学工学部紀要(Web)  (Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki (Web))
号： 45  ページ： 105-109 (WEB ONLY)  発行年： 2016年07月29日 
JST資料番号： U0521A  ISSN： 0540-4924  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 安価で応用範囲が広がると思われるSi基板上へのGaN系レーザダイオード(LD)の製作が研究されている。問題点として成長させたGaN中に多くの欠陥やクラックが発生する現象があり,その解決策として,Si基板を加工して成長領域を限定することで高品質なGaN結晶を得る方法が試みられている。本研究では,加工Si基板上での半極性GaNの発光特性を評価した。バンドギャップエネルギーの同定が可能なフォトリフレクタンス法と,発光再結合を検出するフォトルミネセンス法を適用した。また,X線回折法を用いて歪の測定も行い,バンドギャップエネルギー変化の原因を議論した。今回の試作品はこれまでのものに比べて未だ結晶性が低かったが,半極性面をSi基板上に成長できたことで今後の改善による成果が期待される。

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  *窒化ガリウム ,  極性 ,  *ウエハ【IC】 ,  キャラクタリゼーション ,  再結合 ,  エネルギー ,  フォトリフレクタンス ,  光ルミネセンス ,  X線回折分析 ,  歪測定 ,  結晶度 ,  半極性 ,  バンドギャップエネルギー ,  *シリコンウエハ ,  計測
準シソーラス用語： *Si基板 ,  非発光再結合

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： フォトルミネッセンス ,  Si基板 ,  半極性 ,  GaN ,  薄膜 ,  再結合 ,  特性評価