文献

J-GLOBAL ID：201602213297283766   整理番号：16A0941586

炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(3)-多元素・分子イオン注入技術の開発検討(2)-

著者 (8件)： 廣瀬諒 (SUMCO) ,  奥山亮輔 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  奥田秀彦 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO) ,  宮本直樹 (日新イオン機器)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.15p-A23-7  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *クラスタ分子 ,  *炭素 ,  *イオン注入 ,  *ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  半導体 ,  イオン化 ,  エピタクシー ,  *積層欠陥 ,  電子顕微鏡観察 ,  *炭素クラスタ ,  *シリコンウエハ ,  透過型電子顕微鏡法 ,  *格子欠陥 ,  エーテル ,  脂肪族化合物
準シソーラス用語： *ケイ素ウエハ ,  透過型電子顕微鏡観察

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

物質索引 (1件)： ジエチルエーテル

タイトルに関連する用語 (6件)： 炭素クラスター ,  イオン注入 ,  Si ,  元素 ,  分子 ,  開発