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J-GLOBAL ID：201602217800883497   整理番号：16A0372595

i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ電磁波発生ダイナミクス

著者 (3件)： 住岡隆裕 (大阪市大 大学院) ,  竹内日出雄 (大阪市大 大学院) ,  中山正昭 (大阪市大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 70  号： 2  ページ： ROMBUNNO.16PCF-11  発行年： 2015年09月24日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *ヒ化ガリウム ,  *MOCVD ,  基板 ,  ホモエピタクシー ,  結晶方位 ,  *発生 ,  動力学 ,  Ti-サファイアレーザ ,  *パルスレーザ照射 ,  スペクトル ,  相互作用 ,  Fourierスペクトル ,  フォノン-プラズモン相互作用 ,  *テラヘルツ放射
準シソーラス用語： *テラヘルツ波発生

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の光物性  (BM08110J)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  エピタキシャル ,  コヒーレント ,  LOフォノン ,  プラズモン結合 ,  テラヘルツ電磁波 ,  ダイナミクス