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J-GLOBAL ID：201602220869853612   整理番号：16A0365385

金属/グラフェン/金属接合における電流に及ぼすグラフェンのσバンドの影響

EFFECT OF THE SIGMA-BAND OF GRAPHENE ON AN ELECTRIC CURRENT IN METAL/GRAPHENE/METAL JUNCTIONS

著者 (1件)： HONDA Syuta (Kansai Univ., Osaka, JPN)
資料名： Science and Technology Reports of Kansai University  (Science and Technology Reports of Kansai University)
号： 58  ページ： 9-13  発行年： 2016年03月20日 
JST資料番号： F0565A  ISSN： 0453-2198  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属電極/グラフェン/金属電極接合におけるコンダクタンスをグラフェンのπおよびσバンドの両方を考慮して調べた。輸送特性に関する先の理論研究においてσバンドは考慮されていなかったが,グラフェンのσバンドは電気輸送に顕著な影響を及ぼすことを見出した。本計算では,原子の強結合モデルとKubo-Landauer公式を用いた。グラフェンのσバンドを考慮して得られたコンダクタンスの値はσバンドを無視した場合よりも3桁も大きい。σバンドはFermi準位でバンドギャップをもち,バルクグラフェンでのコンダクタンスには影響しないが,金属電極を通じてグラフェンのπバンドと間接的に混成化し,接合でのコンダクタンスに寄与する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *グラフェン ,  *MSM構造 ,  *コンダクタンス ,  特性 ,  強結合 ,  Kubo公式 ,  バンドギャップ ,  分散関係
準シソーラス用語： 金属-半導体-金属構造 ,  輸送特性

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  金属接合 ,  バンド