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J-GLOBAL ID：201602221293393617   整理番号：16A0281242

Cr系溶媒を用いた単結晶SiC溶液成長における炭素過飽和量と成長速度の関係

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著者 (7件)： 宮坂遼 (東大 工) ,  鳴海大翔 (東大 工) ,  川西咲子 (東大 生産技研) ,  川西咲子 (東北大 多元物質科研) ,  佐々木秀顕 (東大 生産技研) ,  吉川健 (東大 生産技研) ,  前田正史 (東大 生産技研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.20A-H101-1  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 溶媒 ,  単結晶 ,  *炭化ケイ素 ,  溶液成長 ,  *過飽和 ,  *炭素 ,  *成長速度
準シソーラス用語： *SiC ,  4H-SiC

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cr ,  溶媒 ,  溶液成長 ,  炭素 ,  過飽和 ,  成長速度