文献

J-GLOBAL ID：201602229892877973   整理番号：16A0941585

炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(2)-常温接合界面における酸素の捕獲能力(2)-

著者 (2件)： 古賀祥泰 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.15p-A23-6  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *クラスタ分子 ,  *炭素 ,  *イオン注入 ,  *ウエハ【IC】 ,  エピタクシー ,  界面 ,  接合部 ,  *ゲッタリング ,  *酸素 ,  イメージセンサ ,  半導体 ,  CMOSイメージセンサ ,  接合界面 ,  *炭素クラスタ ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： *ケイ素ウエハ

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 炭素クラスター ,  イオン注入 ,  Si ,  常温 ,  接合界面 ,  酸素 ,  捕獲 ,  能力