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J-GLOBAL ID：201602237637049868   整理番号：16A1224221

i-GaAs/n-GaAsとi-GaAs/p-GaAsエピタキシャル構造におけるテラヘルツ電磁波放射特性の対比

著者 (3件)： 住岡隆裕 (大阪市大 大学院) ,  竹内日出雄 (大阪市大 大学院) ,  中山正昭 (大阪市大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 71  号： 2  ページ： ROMBUNNO.15aAL-4  発行年： 2016年09月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOCVD ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ヒ化ガリウム ,  *N型半導体 ,  *P型半導体 ,  エピタクシー ,  *電磁波放射 ,  相互作用 ,  プラズモン ,  フォノン ,  フォノン-プラズモン相互作用 ,  *テラヘルツ放射 ,  縦光学フォノン
準シソーラス用語： *テラヘルツ波放射 ,  電子プラズモン ,  LOフォノン

分類 (1件)： 電磁気学一般  (BD01020N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  エピタキシャル ,  テラヘルツ電磁波 ,  放射特性 ,  対比