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J-GLOBAL ID：201602270353250551   整理番号：16A0941833

ウェットエッチングを用いたSOI基板のサブナノメートル精度薄膜化

著者 (2件)： 桑原充輝 (大阪府大) ,  高橋和 (大阪府大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.15p-B10-3  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ケイ素 ,  *プリント基板 ,  *ウェットエッチング ,  *技術 ,  厚み測定 ,  半導体 ,  精度 ,  精密化 ,  エッチング ,  *SOI基板 ,  膜厚計測 ,  *薄膜技術
準シソーラス用語： 位置選択エッチング ,  *薄膜化技術 ,  微細化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ウェットエッチング ,  SOI基板 ,  薄膜化