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J-GLOBAL ID：201602277844860631   整理番号：16A0415225

スパースモデリングの発展-原理から応用まで-4.情報通信工学分野への応用 4-4 スパースモデリングによるナノデバイスシミュレーション解析

著者 (4件)： 安藤康伸 (東大 大学院工学系研究科) ,  藤掛壮 (東大 大学院工学系研究科) ,  LI Wenwen (東大 大学院工学系研究科) ,  渡邉聡 (東大 大学院工学系研究科)
資料名： 電子情報通信学会誌  (Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
巻： 99  号： 5  ページ： 461-465  発行年： 2016年05月01日 
JST資料番号： F0019A  ISSN： 0913-5693  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 複雑化するナノデバイスシミュレーションの結果から機能とナノ構造の間の関連性や背後にあるメカニズムを解明するため,新しい解析手法の開発が望まれている。筆者らはスパースモデリング(SpM)を応用してこの課題に取り組んでいる。分子架橋系の電気伝導特性を表すスペクトルのWard法による分類を試み,スペクトルと分子構造の間の関係性を系統的に導き出すことに成功した。またニューラルネットワークを利用することで複雑なアモルファス構造内のイオン拡散経路のモデリング技術を開発した。これらにより,SpMによる解析手法の有効性を示すことができた。(著者抄録)

シソーラス用語： *電気工学 ,  *固体素子 ,  *計算機シミュレーション ,  シミュレーション ,  ナノ構造 ,  架橋【高分子】 ,  導電性 ,  スペクトル ,  Ward恒等式 ,  分子構造 ,  ニューラルネットワーク ,  非晶質 ,  イオン拡散 ,  技術 ,  *スパースモデリング ,  *ナノデバイス ,  *計算機利用 ,  *利用
準シソーラス用語： *情報通信工学 ,  *デバイスシミュレーション ,  モデリング技術

分類 (3件)： 計算機シミュレーション  (JE11000H) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  その他の情報工学基礎理論  (JB06000C)

引用文献 (5件)：

• B. Xu and N.J. Tao, “Measurement of single-molecule resistance by repeated formation of molecular junctions,“ Science, no. 301, pp. 1221-1223, Aug. 2003.
• J.H. Ward Jr., “Hierarchical grouping to optimize an objective function,“ J. Am. Stat. Assoc., no. 58, pp. 236-244, March 1963.
• 安藤康伸,藤掛壮,渡邉聡,“マテリアルズ・インフォマティクスによる分子電気伝導シミュレーション解析の試み,“表面科学学会誌,no.36, pp.515-520,Oct.2015.
• J. Behler and M. Parrinello, “Generalized neural-network representation of high-dimensional potential-energy surfaces,“ Phys. Rev. Lett., vol. 98, 146401, April 2007.
• J. Hwang, Y. Ando, and S. Watanabe, “Materials search of perovskite cathode in SOFC by statistical analysis,“ ECS trans., vol. 68, no. 1, pp. 549-556, 2015.

タイトルに関連する用語 (7件)： スパースモデリング ,  発展 ,  原理 ,  応用 ,  情報通信工学 ,  ナノデバイス ,  シミュレーション解析