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J-GLOBAL ID：201602286857885601   整理番号：16A1369745

分子性2次元モット絶縁体におけるフィリング制御の新展開

著者 (4件)： 川椙義高 (理研) ,  関和弘 (理研) ,  須田理行 (分子科学研) ,  山本浩史 (分子科学研)
資料名： 固体物理  (Solid State Physics)
巻： 51  号： 12  ページ： 801-813  発行年： 2016年12月15日 
JST資料番号： F0158B  ISSN： 0454-4544  CODEN： KOTBA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 著者らは最近,二次元Mott絶縁体であるκ-BEDT-TTF塩において,電界効果によるバンドフィリング制御と,これを用いたMott転移,超伝導転移を実現したので紹介する。分子性導体,κ-BEDT-TTF塩は2分子がダイマーを作るため,1/2フィリングMott絶縁体として機能する。その圧力-温度相図はMott絶縁体-金属相転移を,圧力-U/W相図は超伝導-絶縁体転移を明らかに示した。電気二重層トランジスタを構成し,高濃度ドーピングとpn非対称性を明瞭に観測することができた。また,プラスチック基板の湾曲を用いた歪効果とFET構造を利用した電界効果を併用することで,バンド幅とバンドフィリングを同時かつ連続的に制御できるシステムを構築できた。本手法は,既存の電気二重層トランジスタでは不可能であった極低温における連続的超伝導転移の観測を可能にし,今後の相転移型デバイス開発及び超伝導転移機構解明に繋がる技術基盤となることが期待される。

シソーラス用語： *二次元 ,  *誘電体 ,  *Mott転移 ,  電子系 ,  *電子相関 ,  状態図 ,  *有機伝導体 ,  二量体 ,  HOMO ,  *FET【トランジスタ】 ,  *ドーピング ,  格子歪 ,  フレキシブル基板 ,  極低温 ,  強相関電子系 ,  *Mott-Hubbard絶縁体 ,  *超伝導体-絶縁体転移 ,  オレフィン化合物 ,  硫黄複素環化合物
準シソーラス用語： *Mott絶縁体 ,  *超伝導-絶縁体転移 ,  *電気二重層トランジスタ

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T) ,  有機物系超伝導体の物性  (BM04024Z)

物質索引 (1件)： BEDT-TTF

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子性 ,  2次元 ,  モット絶縁体 ,  フィリング ,  展開