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J-GLOBAL ID：201602288143280167   整理番号：16A0838040

クラスターイオン注入によるCMOSセンサのゲッタリング技術

著者 (7件)： 栗田一成 (株式会社SUMCO技術本部 評価・基盤技術部) ,  門野武 (株式会社SUMCO技術本部 評価・基盤技術部) ,  奥山亮輔 (株式会社SUMCO技術本部 評価・基盤技術部) ,  廣瀬諒 (株式会社SUMCO技術本部 評価・基盤技術部) ,  柾田亜由美 (株式会社SUMCO技術本部 評価・基盤技術部) ,  奥田秀彦 (株式会社SUMCO技術本部 評価・基盤技術部) ,  古賀祥泰 (株式会社SUMCO技術本部 評価・基盤技術部)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 37  号： 3  ページ： 104-109(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高感度CMOSセンサに適用する炭素クラスターイオン注入を用いたゲッタリング技術のこれまでの研究成果を紹介した。炭素クラスターイオン注入ゲッタリングウェーハの製造方法,そして特徴として重金属,酸素,水素に対するゲッタリング効果について述べた。炭素クラスターイオン注入ゲッタリングがCMOSセンサの暗時出力電圧特性に与える効果を評価した。試作したCMOSセンサ・セルの暗時出力電圧の金属汚染種依存性を調べた結果,重金属汚染に対しても高いゲッタリング能力があることが分かった。

シソーラス用語： *ゲッタリング ,  *クラスタイオン ,  *イオン注入 ,  CMOS構造 ,  不純物 ,  ウエハ【IC】 ,  *イメージセンサ ,  クラスタ分子 ,  炭素 ,  重金属 ,  エピタクシー ,  *CMOSイメージセンサ ,  シリコンウエハ ,  炭素クラスタ ,  MOS構造
準シソーラス用語： 金属不純物

著者キーワード (10件)： cluster implantation ,  metallic impurity ,  gettering ,  silicon wafer ,  CMOS image sensors ,  cluster implantation ,  metallic impurity ,  gettering ,  silicon wafer ,  CMOS image sensors

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (35件)：

• 1) T. Kuroda: “Essential Principles of Image Sensors” (CRC press, 2014).
• 2) 黒田隆男 (邦訳): “イメージセンサの本質と基礎” (コロナ社,2012).
• 3) 角南英夫,川人祥二: “メモリデバイス・イメージセンサ” (丸善株式会社,2009).
• 4) 相澤清晴,浜本隆之 (編著): “CMOSイメージセンサ” (コロナ社,2012).
• 5) 川人祥二: 応用物理学会応用電子物性分科会誌,10, 188 (2004).

タイトルに関連する用語 (4件)： クラスターイオン ,  注入 ,  CMOSセンサ ,  ゲッタリング