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J-GLOBAL ID：201602290616718803   整理番号：16A1004072

GaN-FETの連鎖的誤動作を抑制するためのソース端子のインダクタンスを考慮した配線インダクタンス設計指針

著者 (3件)： 松本隆之介 (岡山大 大学院自然科学研究科) ,  梅谷和弘 (岡山大 大学院自然科学研究科) ,  平木英治 (岡山大 大学院自然科学研究科)
資料名： 電気学会産業応用部門大会(CD-ROM)  (Proceedings of the IEE Japan Industry Applications Society Conference (CD-ROM))
巻： 2016  ページ： ROMBUNNO.1-35  発行年： 2016年 
JST資料番号： L2177B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *誤動作 ,  インダクタンス ,  *指針 ,  ターンオン ,  漂遊容量 ,  発振現象 ,  条件 ,  *抑制 ,  寄生インダクタンス
準シソーラス用語： *GaN-FET ,  セルフターンオン ,  Barkhausen発振条件 ,  寄生容量 ,  設計指針

分類 (2件)： 電子回路一般  (NC05010N) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  FET ,  連鎖 ,  誤動作 ,  ソース端子 ,  インダクタンス ,  設計指針