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J-GLOBAL ID：201602291317857595   整理番号：16A0941584

炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(1)-注入層における酸素が重金属のゲッタリング能力に与える影響-

著者 (8件)： 柾田亜由美 (SUMCO) ,  仲井敏郎 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  奥山亮輔 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  奥田秀彦 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.15p-A23-5  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *クラスタ分子 ,  *炭素 ,  エピタクシー ,  ウエハ【IC】 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  酸素 ,  *ゲッタリング ,  二次イオン質量分析 ,  *鉄 ,  *不純物 ,  *炭素クラスタ ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： ケイ素ウエハ

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 炭素クラスター ,  イオン注入 ,  Si ,  注入 ,  酸素 ,  重金属 ,  ゲッタリング ,  能力