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J-GLOBAL ID：201602293647068731   整理番号：16A0531166

半極性(1-101)面で成長させたGaN薄膜のバンドギャップ減少

著者 (7件)： 杉原圭二 (宮崎大 工) ,  中野真理菜 (宮崎大 工) ,  大堀大介 (宮崎大 工) ,  碇哲雄 (宮崎大 工) ,  福山敦彦 (宮崎大 工) ,  天野浩 (名古屋大 工) ,  本田善央 (名古屋大 工)
資料名： 応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web)  (Abstract Book. Asian Applied Physics Conference (Web))
巻： 41  ページ： 103 (WEB ONLY)  発行年： 2015年12月05日 
JST資料番号： U0757A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  *極性 ,  *バンドギャップ ,  フォトリフレクタンス ,  光ルミネセンス ,  Kramers-Kronig関係式 ,  *半極性
準シソーラス用語： フォトルミネセンス

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 半極性 ,  成長 ,  GaN ,  薄膜 ,  バンドギャップ