特許

J-GLOBAL ID：201603013000959290

3C-SiC単結晶およびその製造方法

発明者： 宇治原 徹 ,  原田 俊太 ,  関 和明
出願人/特許権者： 国立大学法人名古屋大学
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013005016
公開番号（公開出願番号）：WO2014-034080
出願日： 2013年08月26日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
要約：

2種の3C-SiCの一方を優先的に成長させつつ3C-SiC単結晶を製造する方法を提供することを目的とする。(0001)面から[1-100]方向±15°の範囲となるようにオフ角が形成された6H-SiCまたは4H-SiCを種結晶として用い、この種結晶上に3C-SiC単結晶をステップフロー成長させる。または、(111)面から[11-2]または[-1-12]方向±15°の範囲となるようにオフ角が形成された3C-SiCを種結晶として用い、この種結晶上に3C-SiC単結晶をステップフロー成長させる。

請求項（抜粋）：

ケイ素(Si)および炭素(C)を含む反応雰囲気下で、SiC種結晶の(0001)面に3C-SiC単結晶をステップフロー成長させる結晶成長工程を備え、 前記SiC種結晶は、(0001)面にオフ角が形成された6H-SiCまたは4H-SiCであり、 前記オフ角は(0001)面から[1-100]方向±15°の範囲となるように形成されている3C-SiC単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/12

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B19/12

Fターム (12件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077GA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA21 ,  4G077QA77 ,  4G077QA79