特許

J-GLOBAL ID：201603017520142909

有機半導体素子及びその製造方法、有機半導体膜形成用組成物、並びに、有機半導体膜の製造方法

発明者： 津山 博昭 ,  宇佐美 由久 ,  岡本 敏宏 ,  竹谷 純一
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (2件)： 特許業務法人太陽国際特許事務所 ,  野口 恭弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-023358
公開番号（公開出願番号）：特開2016-146435
出願日： 2015年02月09日
公開日（公表日）： 2016年08月12日
要約：

【課題】高移動度である有機半導体素子及び高移動度である有機半導体膜を形成することができる有機半導体膜形成用組成物並びに有機半導体膜形成用組成物より形成した有機半導体素子の製造方法及び有機半導体膜の製造方法を提供すること。【解決手段】有機半導体素子は、式1で表され、かつ、分子量が3,000以下である化合物を含む半導体活性層を有する。式1で表され、有機半導体膜形成用組成物は、分子量が3,000以下である化合物及び溶媒を含有する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記式1で表され、かつ、分子量が3,000以下である化合物を含む半導体活性層を有することを特徴とする 有機半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C07D 495/14

FI (6件)：

H01L29/28 250H ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  C07D495/14 Z

Fターム (50件)：

4C071AA01 ,  4C071AA08 ,  4C071BB02 ,  4C071BB06 ,  4C071CC23 ,  4C071EE13 ,  4C071FF23 ,  4C071GG01 ,  4C071LL05 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF31 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN33 ,  5F110QQ06