特許

J-GLOBAL ID：201603018547373313

有機分子メモリ

発明者： 浅川 鋼児 ,  真島 豊 ,  西沢 秀之 ,  田中 裕介 ,  服部 繁樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-191063
公開番号（公開出願番号）：特開2016-063123
出願日： 2014年09月19日
公開日（公表日）： 2016年04月25日
要約：

【課題】低い電圧で動作する有機分子メモリを提供する。【解決手段】実施形態の有機分子メモリは、第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層と第2の導電層との間に設けられ、3個以上のベンゼン環から構成され、両端のベンゼン環以外のベンゼン環のオルト位又はメタ位に2個のフッ素原子が付加されるオリゴフェニレンエチニレン骨格を有する有機分子を含む有機分子層と、を備える。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1の導電層と、 第2の導電層と、 前記第1の導電層と前記第2の導電層との間に設けられ、3個以上のベンゼン環から構成され、両端のベンゼン環以外のベンゼン環のオルト位又はメタ位に2個のフッ素原子が付加されるオリゴフェニレンエチニレン骨格を有する有機分子を含む有機分子層と、 を備える有機分子メモリ。

IPC (7件)：

H01L 51/30 ,  H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 51/40

FI (8件)：

H01L29/28 250H ,  H01L27/10 449 ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L29/28 100B ,  H01L29/28 220D ,  H01L29/28 310D

Fターム (6件)：

5F083FZ07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA39 ,  5F083PR23