文献

J-GLOBAL ID：201702213512345707   整理番号：17A0548227

フォトリソグラフィを用いて300mm SOI基板に作製したシリコンフォトニック結晶ナノ共振器の位置依存性

著者 (8件)： 芦田紘平 (大阪府大 大学院) ,  岡野誠 (産業技術総合研) ,  大塚実 (産業技術総合研) ,  関三好 (産業技術総合研) ,  横山信幸 (産業技術総合研) ,  越野圭二 (産業技術総合研) ,  山田浩治 (産業技術総合研) ,  高橋和 (大阪府大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.14p-P7-8  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *フォトニック結晶 ,  *微小共振器 ,  *ケイ素 ,  依存性 ,  プリント基板 ,  SOI構造 ,  *フォトリソグラフィー ,  Q値 ,  パターン形成 ,  SOI基板 ,  *フォトニック結晶共振器 ,  位置依存性
準シソーラス用語： シリコン

分類 (2件)： 光デバイス一般  (BD06010L) ,  量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (7件)： フォトリソグラフィ ,  SOI基板 ,  作製 ,  シリコン ,  フォトニック結晶 ,  ナノ共振器 ,  位置依存性