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J-GLOBAL ID：201702227752377607   整理番号：17A0011340

パルス電場を用いた電解ゾル-ゲル反応によるシリカ膜の作製

著者 (4件)： 吉岡朋彦 (岡山大) ,  手塚友章 (岡山大) ,  小西敏功 (岡山大) ,  早川聡 (岡山大)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)
巻： 29th  ページ： ROMBUNNO.1F18  発行年： 2016年08月29日 
JST資料番号： L2240B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 稼働率 ,  *二酸化ケイ素 ,  チタン ,  *ゾル-ゲル法 ,  薄膜 ,  電場 ,  *電着 ,  電解 ,  加水分解 ,  パルス電場
準シソーラス用語： デューティサイクル ,  電解ゾル-ゲル反応

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： TEOS

タイトルに関連する用語 (5件)： パルス電場 ,  電解 ,  ゾル-ゲル反応 ,  シリカ膜 ,  作製