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J-GLOBAL ID：201702230074989440   整理番号：17A1142092

位置選択的ウェットエッチングによる多段SOI基板の作製-インクジェットマスクパターンの導入-

著者 (3件)： 桑原充輝 (大阪府大 大学院) ,  田中捺美 (大阪府大 大学院) ,  高橋和 (大阪府大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.8p-PA2-6  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 選択 ,  *ウェットエッチング ,  *多段処理 ,  *SOI構造 ,  *プリント基板 ,  *インクジェット印刷 ,  *フォトマスク ,  *回路パターン形成 ,  保護膜 ,  塗布 ,  膜厚 ,  光学顕微鏡法 ,  厚み制御 ,  SOI基板 ,  *マスク
準シソーラス用語： 位置選択 ,  マスクパターン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 位置選択 ,  ウェットエッチング ,  多段 ,  SOI基板 ,  作製 ,  インクジェット ,  マスクパターン